实时工艺管理
实时工艺管理
KLA 全方位的 SensArray® 产品系列能够对工艺设备的环境进行实时现场监控。通过具备有线和无线传感器的晶圆和光罩、自动化软件包以及数据分析系统， SensArray 产品可以提供关于各种晶圆和光罩工艺的全面信息。晶圆工艺设备制造商、IC制造商和光罩制造商可以使用 SensArray 数据对工艺条件进行可视化操作、并作出诊断和控制。
分类
SensArray® Automation
温度测量自动化系统
SensArray® Automation 方案可以快速自动地收集工艺设备腔体的温度数据，同时还提供了支持新建晶圆厂的半自动功能。 SensArray Automation 包括与所有 300 毫米无线 SensArray 产品兼容的 AS1000 自动化基站、天车系统 (OHT) 兼容的 FOUP、系统自动化控制器和可以装在办公室电脑的软件。 SensArray FOUP 可以同时放置两个独立的 SensArray 产品以实现灵活的晶圆厂部署，并且可以像任何普通生产 FOUP 一样处理，并且可以直接将数据传输到客户的生产系统（MES），并生成 SPC 图表。 SensArray Automation 提高了生产力，从而提高了工艺设备的available time，更有效地利用了工程师资源，并将数据集中存储在工厂的MES数据库中。
EtchTemp Series
等离子蚀刻晶圆温度（20° 至 140°C）测量系统
EtchTemp Series 晶圆温度测量系统，可用于 300mm 和 200mm 配置，记录等离子蚀刻工艺环境对真实工艺条件下生产晶圆的影响。 EtchTemp-HD 测量系统包含高密度传感器，能够实现晶圆整体温度监测，而这与导体蚀刻工艺的 CD 均匀性控制密切相关。 EtchTemp-HD 无线晶圆通过测量与产品工艺接近条件下的温度数据，可以帮助工艺工程师完成调整蚀刻工艺条件，验证及匹配腔体、和PM后的验证等工作。
主要应用
工艺开发，工艺验证，工艺设备监测，工艺设备验证，腔体匹配，工艺设备匹配
绝缘材料等离子蚀刻（EtchTemp）、导体等离子蚀刻（EtchTemp-HD、EtchTemp SE-HD、EtchTemp-SE）、离子注入 | 20-140°C
相关产品
EtchTemp-HD: 在真实工艺条件下，用于测量多区域静电吸附盘 (ESC) 晶圆工艺的温度数据。
EtchTemp-LT: 在真实工艺条件下，用于测量温度低于 20°C 的晶圆蚀刻工艺的温度数据
EtchTemp-HP: 在真实工艺条件下，用于测量高功率、高深宽比的contact (HARC) 蚀刻晶圆工艺温度数据
EtchTemp-SE: 在真实工艺条件下，用于测量高功率、高频率的硅蚀刻晶圆工艺温度数据
EtchTemp: 在真实工艺条件下，用于测量高功率、高频率的绝缘材料蚀刻晶圆工艺温度数据
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联系我们HighTemp-400
晶圆温度（20° 至 400°C）测量系统
HighTemp-400 晶圆温度测量系统拥有 300 毫米和 200 毫米两种配置，该系统旨在优化和监控先进的薄膜工艺（FEOL 和 BEOL ALD、CVD 和 PVD）和其他高温工艺。 HighTemp-400 无线晶圆测量工艺设备的热均匀性，可以全面了解实际生产工艺条件下实时收集的时间和空间温度数据。 在特定应用条件下（如等离子环境）的温度变化，会影响工艺窗口和图案化性能。HighTemp-400 通过测量温度变化，帮助 IC 制造商优化新材料、晶体管技术和复杂图案化技术。
Integrated Wafer™
光刻晶圆温度（15° 至 145°C）测量系统
Integrated Wafer™ 2 晶圆温度测量系统包括 300 毫米和 200 毫米两种配置，可以收集关键温度数据，用于监控和维护光刻工艺。 Integrated Wafer 2 采用无线、薄型设计，几乎可以在所有光刻工艺设备中使用，可为关键生产工艺提供高精度的静态和动态温度测量。 Integrated Wafer 2 使用 65 个传感器来帮助光刻工程师表征热均匀性并分析热循环的各个部分，包括传输、加热、冷却和稳定状态。 Integrated Wafer 2 支持先进光刻工艺（例如光刻后烘烤）中关键热板加热区元件的测量和监控等应用。
UV Wafer
沉积和退火紫外线光强测量系统
300mm UV Wafer 紫外线 (UV) 光测量系统利用无线传感器晶片技术，可测量薄膜沉积工艺设备晶圆表面的紫外线光剂量和强度。 UV Wafer 实现了以前无法实现的工艺优化和监控，提供退火，cure FCVD (flowable) oxides and low k dielectric films工艺中的紫外线 (UV) 灯到达晶圆表面的光强度信息。 UV Wafer 还可以识别灯泡老化引起的漂移或灯强度的其他变化，这些变化会导致薄膜性能不均匀。 UV Wafer 通过显示 UV 灯系统中的光学系统问题，帮助工程师改进工艺设备，从而实现最佳固化工艺。
CryoTemp™
晶圆温度（-40° 至 30°C）测量系统
CryoTemp™ 300mm 晶圆温度测量系统可在实际真空工艺条件下对干法蚀刻工艺进行监控*。 CryoTemp 晶圆旨在校准、改善均匀性和匹配静电吸附盘 (ESC) 上的温度曲线，可实现对等离子体蚀刻腔体的快速工艺表征和控制。 CryoTemp 具有 21 个传感器，其精度为 0.5°C，工作温度范围为 -40°C 至 30°C。 支持自动化的 CryoTemp 有助于减少蚀刻腔体停机时间，节省宝贵的工程资源，并提高设备性能和整体生产力。
(*请注意，CryoTemp 晶圆不能在plasma on的条件下使用，但是可以用于工艺腔体中chuck和de-chuck。)
Smartwafer™
晶圆传送 监控
Smartwafer2™ 监测并记录晶圆在设备传送路径上的振动和加速度。 完成记录过程后，数据通过外部读取站下载到电脑中 。 数据与设备传送序列同步，并与定义为golden chamber的历史数据进行比较。 任何异常信号都会显示并精确指向不良的机械组件或对准问题，这些问题会导致晶圆上出现颗粒、缺陷或划痕。 该产品使用标准 300 毫米硅晶圆，可以与标准工艺晶圆完美匹配，使其能够使用跟工艺wafer同样的recipe来监测晶圆传送过程。 电子电路表面涂有硅粘合剂，可保护 Smartwafer2 并使其防水。 自动化Loadport 是专为 300 毫米自动化晶圆厂设计的，允许在生产模式下使用 Smartwafer2，就像任何其他常规监测一样。 自动化Loadport 符合所有 SEMI 标准，包括 E84 和 AMHS/OHV 及主机连接所需的其他 SEMI 标准。
EWG Wafer™
晶圆传送监控
EWG Wafer™ 可测量吸附盘旋转时晶圆的偏心率和晃动，这是进行这些实时测量的唯一方法。 目前用于检查这些参数的常用方法需要打开设备腔体和使用机械量规，这是一个非常耗费时间的过程。 EWG Wafer 将测量 XY 方向加速度的装置放置在晶圆的中心，将测量 Z 方向加速度装置放置在靠近晶圆边缘的六个点上，可以不用打开设备腔体就完成测量，并且可以通过自动化Loadport 实现完全自动化。 自动化Loadport 是专为 300 毫米自动化晶圆厂设计的，允许在生产模式下使用 EWG Wafer，就像任何其他常规量测一样。 自动化Loadport 符合所有 SEMI 标准，包括 E84 和 AMHS/OHV 及主机连接所需的其他 SEMI 标准。
RH Wafer™
晶圆传送监控
RH Wafer™在整个工艺设备中移动，并测量多个位置的湿度。 湿度传感器和 Smartwafer2™ 型电路安装在 300mm 裸硅晶圆上，该晶圆放置在经过清洗的 SmartFOUP 中。 然后将 SmartFOUP 放置在工艺设备的2 load port上，并通过测量 FOUP 中的相对湿度来监控 N2 purge功能。 RH 晶圆和Smart FOUP 与 自动化 Loadport 和分析软件完全兼容，可实现全自动监控。 自动化 Loadport 是专为 300 毫米自动化晶圆厂设计的，允许在生产模式下使用 RH Wafer，就像任何其他常规量测一样。 自动化Loadport 符合所有 SEMI 标准，包括 E84 和 AMHS/OHV 及主机连接所需的其它 SEMI 标准。 分析软件使用统计工艺控制 (SPC) 工具来检测相对湿度的异常或趋势。
WetTemp Series
湿法工艺晶圆温度（15° 至 140°C）测量系统
WetTemp 晶圆温度测量系统提供 300mm 和 200mm 两种配置，支持湿法清洁和其他湿法工艺的监测。 WetTemp Series 晶圆与大多数单晶圆湿法清洁工艺系统兼容，以帮助工程师验证湿法清洁设备、优化湿法清洁工艺和改进湿法清洁系统性能。
主要应用
工艺开发、工艺验证、工艺设备监测、工艺设备验证、工艺设备匹配
湿法蚀刻，湿法清洁 | 15-140°C
相关产品
WetTemp-HR: 使用 65 个均匀分布在 9 个同心环中的集成温度传感器对温度进行监测，改进了晶圆表面量测的覆盖范围，以获取整个晶圆的大量的温度数据。 与单晶圆湿法工艺兼容，晶圆厚度为 1.2mm 。
WetTemp-LP: 使用 65 个分布在 5 个同心环中的集成温度传感器对温度进行监测，在离圆心147 毫米区域内具有更高的传感器密度。 与单晶圆湿法工艺兼容，晶圆厚度为 0.775 毫米。
WetTemp: 使用 65 个分布在 5 个同心环中的集成温度传感器对温度进行监测，在离圆心147 毫米区域内具有更高的传感器密度。 与单晶圆湿法工艺兼容，晶圆厚度为 1.2mm 。
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光刻机晶圆温度（20° 至 24°C）测量系统
ScannerTemp 晶圆温度测量系统可用于监测干式、浸入式和 EUV 光刻机。 ScannerTemp 无线晶圆可生成高精度的时间和空间晶圆温度数据，该数据可帮助光刻工程师监控影响图案overlay性能的光刻机温度变化。 ScannerTemp 采用扁平、标准厚度的晶圆模式，并且具有高精度和低噪音的特点，用于测量光刻工艺中的温度均匀性和稳定性，并实现光刻机的验证和匹配。
Integral Implant i3
离子注入晶圆温度（15° 至 130°C）测量系统
Integral Implant i3 实时晶圆温度测量系统可提供 300 毫米和 200 毫米两种配置，支持离子注入工艺的晶圆温度监测。 Integral Implant i3 无线晶圆产生高精度的时间和空间晶圆温度数据，可帮助注入工程师表征和监控影响离子注入剂量和均匀性的温度变化，并改进离子注入工艺验证和设备匹配。
Thermal TRACK™ 6
无线数据采集
Thermal TRACK™ 6 数据采集系统可通过有线 SensArray® Process Probe™ 产品进行晶圆温度测量。Thermal TRACK 6 系统将无线 ISIS 5（智能传感器接口系统）数据采集单元与便携式平板电脑相结合，以进行实时可视化和记录用于表征温度曲线的数据。Thermal TRACK 6 通过在升温、稳态和冷却期间提供晶圆温度的信息图表，为管理大多数工艺提供了一种快速且具有成本效益的方法。该便携式系统提供高准确度、精度和分辨率的温度测量，为工厂工程师提供关键数据，以校准和检查温度设定点以及进行预防保养的检查。Thermal TRACK 6 配备一台 10.5 英寸平板电脑，提供与上一代产品相同的功能，并且优化了用户界面和增强了用户体验，同时还无需外接电脑。
主要应用
工艺设备监测对此产品感兴趣或有疑问？
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手持式无线数据采集
Thermal TRACK™ 5数据采集系统通过布线的SensArray® ProcessProbe™ 仪表晶圆产品以支持实时的晶圆温度测量。Thermal TRACK 5系统结合了无线ISIS 5（智能传感器接口系统）数据采集单元和手持式个人数据助理，在进行实时数据显示和记录的同时，表征温度曲线。通过对升温、稳态和冷却期间的晶圆温度进行内容丰富的图形显示，Thermal TRACK 5为大多数工艺提供了快速且经济的管理方法。该便携式系统能够为瞬时和稳态条件提供高精确度和高分辨率的测量，为晶圆厂工程师提供关键数据，用以校准并检查温度设定值，除此之外，还可以运行预先设定的预防性维护检查。
MaskTemp™ 2
实时光罩温度测量系统
在光罩厂中，MaskTemp™ 2实时光罩温度测量系统被用于对电子束写入仪和高温光罩工艺步骤进行评估和监控。 MaskTemp 2是电子束光罩写入仪认证中极为关键的一环，因为光罩写入全部完成所需的时间非常长（最多24小时），而在此期间温度必须极为稳定。MaskTemp 2可以连续24小时采集电子束光罩写入仪内部的温度数据，为光罩制造商提供写入关键光罩之前所需的数据，以确保系统热稳定性。 Mask Temp 2还支持曝光后烘烤表征、热板温度均匀性监控、热板匹配及其他高温工艺应用，协助光罩制造商识别并减少写入后的工艺热变化，确保最终的光罩质量。
主要应用
电子束光罩写入仪认证，工艺开发，工艺控制，工艺认证，工艺监控，工艺设备认证，工艺设备匹配电子束光罩写入 | 20-40°C
曝光后烘烤 | 20-140°C下
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联系我们Process Probe™ 1530/1535
实时晶圆温度监测系统
Process Probe™1530和1535仪表晶圆能够监测包括冷壁式、RTP、溅射、CVD、等离子剥离器和外延反应器的各种工艺的原位温度。 Process Probe 1530和1535在工艺循环的每个关键步骤中能够对晶圆温度进行直接和实时测量。工艺工程师可利用这些全面的温度数据对工艺条件进行表征和微调，并推动工艺设备性能的改进以及晶圆质量和良率的提升。
Process Probe™ 1630
实时原位晶圆温度检测系统
Process Probe™1630仪表晶圆可以对前段常压和带式CVD系统以及后段晶圆焊料凸块回流焊炉的晶圆温度曲线进行精确的原位表征。工艺工程师可采用Process Probe 1630以确定边缘到中心的温度曲线，从而调整加热器区域设定点和测量沉积温度的漂移，并可以根据加热器和皮带上氧化物积聚引起的热传递变化进行调整。
Process Probe™ 1840/1850
实时晶圆温度监控系统
Process Probe™1840和1850仪表晶圆可提供高精度和实时的热板温度测量，以支持光阻显影系统和晶圆探测器等工艺。 Process Probe 1840和1850可以直接测量晶圆温度稳定性和均匀性，而不需要依赖于不精确的工艺监视器或接触式温度传感器。 利用Process Probe 1840和1850，光刻工程师可以表征和微调光阻烘烤温度的均匀性，确保先进光刻工艺满足温度精度的要去并实现高良率。
主要应用
工艺开发，工艺认证，工艺设备认证，工艺设备匹配光刻显影曝光后烘烤，旋涂防反射涂层，后段探针 | 0-250°C (1840), 0-350°C (1850)
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联系我们PlasmaSuite
等离子数据分析系统
PlasmaView
PlasmaView工艺分析查看系统提供了一个直观的界面，用于查看详细的等离子蚀刻工艺分析。 通过使用从EtchTemp和EtchTemp-SE收集的数据， PlasmaView可以显示等离子工艺数据与时间和空间（2D或3D）的关系。 电影视图功能允许工艺工程师将关键的瞬态响应可视化，并将其用于故障调查。
PlasmaControl
PlasmaControl分析引擎可以协助日常操作进行监控和控制，并且协助反应腔到反应腔的匹配。 它将复杂的等离子蚀刻工艺精简到几个关键部分并将其与控制规格进行比较，为每次运行提供简单的“通过”或“不通过”的结果。 PlasmaControl让工程师能够查看趋势、发现并研究偏移，并将等离子蚀刻工艺反应室进行比较。
主要应用
工艺开发，工艺控制，工艺分析，排查故障对此产品感兴趣或有疑问？
联系我们LithoSuite
光刻数据分析系统
LithoView
LithoView工艺分析用户界面提供标准化数据查看功能，包括数据的2D和3D时间视图。LithoView为工程师提供完整的任务控制功能，例如完整的SensorWafer™通信、任务操作和数据下载。 LithoView还包括一个数据库和浏览器，用于完整跟踪数据历史记录。
AutoCal TrackTune 应用软件
AutoCal TrackTune高级软件应用程序用于校准和优化高级轨道加热板。 该应用程序利用SensArray®集成晶圆数据的准确性来捕捉光阻工艺区的温度分布。 通过将详细的热曲线数据与特定的OEM板的热模型引擎相结合，就可以生成优化加热板控制系统的输入参数设置。 这些经过优化的设置可以显着改善加热板的均匀性，以及同步板与板间的热分布。
主要应用
工艺数据分析对此产品感兴趣或有疑问？
联系我们Thermal MAP®
无线数据采集和数据分析
Thermal MAP® 数据采集和分析系统提供原位晶圆温度测量。 Thermal MAP系统将无线ISIS 5（智能传感器接口系统）数据采集单元与功能强大的绘图软件相结合，可以将任何SensArray®仪表晶圆所收集的数据进行可视化并加以分析。 这种精密的晶圆温度数据采集和分析系统可为瞬态和稳态测量提供出色的准确度、精度和分辨率。 通过采用简明而信息丰富的图形表示温度的上升、稳态和下降，Thermal MAP通过以下的功能协助快速工艺优化：
- 将薄膜厚度和电阻率分布图相关联的表面形貌图
- 快速查看工艺温度曲线变化的动画
- 运行到运行以及运行内的分析