Archer™

Archer™

오버레이 계측 시스템

Archer™ 750 오버레이 계측 시스템은 첨단 메모리 및 로직 소자의 안정적인 생산과 빠르게 변화하는 기술에 맞추기 위한 제품 상의 오버레이 오류에 대한 정확한 피드백을 제공합니다. 10nm 해상도까지 조절가능한 파장을 통해 생산 공정 변동이 존재하는 곳에서도 정확하면서도 견고한 오버레이 오류 측정 값을 제공합니다. 주로 산란계측 기반의 시스템에서만 가능했던 생산성 수준을 가진 Archer 750 이미징 기반 오버레이 시스템은 인라인 모니터링을 위한 고처리량 및 고차 스캐너 교정을 위한 확대된 샘플링을 지원합니다. 첨단 알고리즘과 신규 rAIM^® 오버레이 타겟 설계를 활용하여 타겟 과 소자 오버레이 오류 간의 상관관계를 개선하며 사진 식각 엔지니어들이 소자 오버레이 성능을 정확하게 추적하도록 지원합니다.

ATL™

ATL™

오버레이 계측 시스템

ATL100™(고정밀 가변 레이저) 산란계측방식 기반의 오버레이 계측 시스템은 ≤7nm 디자인 노드에서 양산 및 개발을 위한 오버레이 제어를 제공합니다. 1nm 해상도를 Homing™과 결합한 가변 레이저 기술은 생산 공정 변화 속에서 높은 오버레이 정확도를 유지합니다. ATL100은 인다이 및 소형 피치 등의 다양한 산란계측방식 오버레이 측정 타겟 설계를 지원함으로써 상이한 공정 층, 소자 유형, 디자인 노드와 패터닝 기술에 대한 정확한 오버레이 오류 측정을 가능하게 합니다.

Axion^®

Axion^®

엑스레이 임계치수(CD) 그리고 형상 계측 시스템

Axion^® T2000 엑스레이 치수 계측 시스템은 첨단 3D 낸드 및 DRAM 반도체 칩에 사용되는 높은 종횡 비율 구조의 빠르고 정확하고 정밀하며 비파괴적인 고해상도 3D 형상 측정을 합니다. 혁신적인 엑스레이 기술을 활용하여 Axion T2000 은 기억 소자 성능 및 수율에 영향을 줄 수 있는 미세한 구조적 변화(굽혀짐, 활처럼 휘어짐, 임계치수 단면, 식각 깊이, 타원율, 기울어짐 등)를 식별합니다. 측정치가 인라인 형태의 비파괴적인 것과 더불어 Axion T2000 은 메모리 제조업체가 연구개발 기간 동안 빠른 학습 주기를 달성하는 것을 도와 FIB-SEM, TEM 및 단면 SEM 과 같은 긴 납기를 가진 파괴적인 방법을 대체할 수 있습니다. Axion T2000 은 또한 양산하는 동안 핵심 공정 단계의 특성화와 모니터링 및 제어하는 데 사용되며, 문제가 확인되고 신속하게 해결되어 안정적인 생산을 유지합니다.

SpectraShape^™

SpectraShape^™

광학 임계치수 (CD) 및 형상 계측 시스템

SpectraShape™ 11k 차원 계측 시스템은 finFET의 3D 형상 및 임계치수(CD), 수직 적층 NAND 및 DRAM 구조와 첨단 설계 노드 내 집적 회로 상의 기타 복잡 형상을 모니터링하고 완전히 특성화하기 위해 사용됩니다. 광학 기술과 특허를 출원한 알고리즘을 활용하는SpectraShape 11k는 다양한 공정 층에 걸친 주요 소자 변수(임계 치수, high K 및 메탈 게이트 리세스, 측면각, 감광재 높이, 하드마스크 높이, 피치 워킹)의 섬세한 차이를 파악합니다. 개선된 스테이지와 고처리량 운영을 가능케 하는 신규 측정 모듈을 사용하는 SpectraShape 11k는 인라인에서 공정 문제를 신속하게 파악하여 Fab 내 수율 개선을 가속화하고 안정적인 생산을 달성하도록 지원합니다.

SpectraFilm^™

SpectraFilm^™

박막 계측 시스템

SpectraFilm™ F1 박막 계측 시스템은 다양한 박막 층에 대한 고정밀도 얇은 박막 측정 값을 제공하여 7nm 이하 및 첨단 메모리 디자인 노드에서 엄격한 공정 허용오차를 달성합니다. 고조도의 광원을 통해 구현하는 분광 엘립소메트리 기술은 밴드갭을 정확히 측정하기 위해 필요한 신호를 제공하며 e-test를 실행하기 몇 주 전에 전기 성능에 대한 인사이트를 제공합니다. 신규 FoG™(Films on Grating) 알고리즘은 소자와 같은 그레이팅 구조에 대한 박막 측정을 가능하게 하여 측정 값과 소자 간의 상관관계를 증대시킵니다. 처리량이 높아지면서 SpectraFilm F1의 생산성이 증가하며 첨단 소자 제조 기법과 관련된 더 많은 수의 박막 층을 지원합니다.

Aleris^®

Aleris^®

박막 계측 시스템

Aleris^® 박막 계측 시스템은 32nm 및 향후 노드에서 박막 두께, 굴절률, 응력 및 조성에 대한 정확하고 신뢰도 높은 측정 값을 제공합니다. 광대역 분광 엘립소메트리(BBSE) 기술을 활용하는 Aleris 박막 계측 시스템은 종합적인 박막 두께 측정 및 계측 솔루션을 수립하여 Fab이 다양한 박막 층을 모니터링하고 인증할 수 있도록 지원합니다.

PWG™

PWG™

패턴 웨이퍼 기하형상 (PWG) 계측 시스템

PWG™ 패턴 웨이퍼 계측 플랫폼은 첨단 3D 낸드, DRAM 및 논리소자 제조업체를 위한 전체 웨이퍼 밀집 형상, 포괄적인 웨이퍼 평탄도 및 양면 나노 지형학 자료를 생성합니다. 고분해능 및 고밀도 표본 추출 기능을 가진 PWG5™는 응력으로 인한 웨이퍼 형상 변화, 웨이퍼 형상으로 인한 패턴 오버레이 오류, 웨이퍼 두께 변형, 웨이퍼 전면 및 후면 지형을 측정합니다. 업계 최고의 동적 범위를 자랑하는 PWG5는 첨단 3D NAND 소자의 96 개 이상의 적층 가공에 사용되는 증착 공정으로 인한 웨이퍼 휘어짐과 응력에 대한 인라인 모니터링과 제어를 지원합니다. PWG5는 공정이 유발한 웨이퍼 형상 편차를 그 근원으로부터 알아낼 수 있으므로, 웨이퍼의 재작업, 프로세스설비의 재교정, 또는 스캐너에 측정 결과를 제공하기 위한 KLA의 5D Analyzer^® 데이터 분석 시스템과의 통합을 통해 제품의 OPO(on-product overlay)를 개선하고 전체적인 소자 수율을 향상시킬 수 있습니다.

PWG5 브로슈어를 다운로드하려면 여기를 클릭하세요.

Therma-Probe^®

Therma-Probe^®

이온주입 계측 시스템

Therma-Probe^® 680xp 이온 주입/열 계측 시스템은 2Xnm/1Xnm 디자인 노드를 위한 인라인 투입량 모니터링을 가능하게 합니다. Therma-Probe 680xp 는 이온 주입량과 프로파일, 주입과 어닐 산포 및 엔드 오브 레인지(EOR) 결함에 대한 주요 정보를 제공합니다. 또한 Therma-Probe 680xp 시스템의 고해상도 마이크로 산포 맵은 주입 및 어닐 공정에 대한 핑거프린팅 역량을 제공합니다.

CAPRES microRSP^®

CAPRES microRSP^®

마이크로 범위 저항 탐침 측정

CAPRES A301 microRSP^® 계측 시스템은 기존의 매크로 범위 탐침에서 사용되는 검증된 신뢰성 높은 4 점 기술을 기반으로 하며, 현재 오프라인 테스트 웨이퍼 저항 측정에서 인라인 제품 웨이퍼 면 저항을 특성화할 수 있는 직접적인 전환을 제공합니다. 500 나노미터 이하의 캔틸레버 너비를 가진 규정에 부합하는 미세 제작 전극 배열을 사용하는 CAPRES A301 microRSP는 최초의 비파괴 저항 측정 설비로 300mm 제품 웨이퍼 절단 선, 폭, 크기 내에서 작동합니다. 전자동화된 A301 microRSP 기본 제품은 300mm 블랭킷과 제품 웨이퍼 모두에서 면 저항 측정에 사용되며 추가 측정 성능 및 기능을 위해 다른 A301 설비에서 아래 관련 제품에 명시된 대로 다르게 구성될 수 있습니다. 200mm microRSP 제품도 제공합니다.

CAPRES CIPTech^®

CAPRES CIPTech^®

전기/자기 특성 계측

CAPRES A301 CIPTech^® 및 CAPRES CIPTech-M300 계측 시스템은 MRAM, STTRAM, 자기 기록 헤드 및 자기 센서 응용분야와 관련된 영역에서 블랭킷 자기 터널 접합 (MTJ) 적층에 매우 중요한 자기 저항 및 터널링 저항(MR & RA)을 직접 측정합니다. IBM으로부터 라이센스를 받은 Current In-Plane 터널링 기술 (CIPTech)은 이전 기술에 비해 전례 없는 측정 속도와 획기적인 비용은 물론 시간 절약 효과를 제공합니다. CAPRES 독점 nano-MEMS 탐침 기술과 결합하면 완전 자동화된 A301 및 반자동/수동 M300 시스템을 통해 300mm 전체 웨이퍼 또는 샘플 조각에서 MTJ 특성을 빠르고 효과적이며 비파괴적인 방법으로 측정할 수 있습니다. MTJ 표면은 12개의 미세한 캔틸레버 전극이 있는 새로운 여러 점 접촉 탐침으로 측정되며, CIPT는 CAPRES 여러 점 측정으로 부터 직접 MR 및 RA를 자동 추출 시 사용됩니다.

MicroSense^® PKMRAM

MicroSense^® PKMRAM

MRAM용 300mm 준비된 비접촉 자기 특성 계측 시스템

MicroSense^® PKMRAM 시스템은 극성 자기 광학 커 효과 (MOKE)를 활용하여 수직 MRAM 개발 및 제조에 사용되는 다층 웨이퍼의 자기 특성에 특징을 부여합니다. 비접촉 전체 웨이퍼 측정 기법을 활용하는 이 시스템은 최대 300mm까지 전체 웨이퍼의 자기 특성 지도를 만듭니다. 시스템은 수동 적재 또는 완전 자동화된 구성을 사용해 연구개발(R&D) 및/또는 생산 요구 사항을 충족할 수 있습니다. 다른 MicroSense 자기 계측 설비와 마찬가지로 특허받은 직접자기장제어 기법을 사용하는 MicroSense PKMRAM 시스템은 고자기장 역량과 저자기장 분해능을 제공해 단일계 내 자유 및 고정 층 특성에 특징을 부여합니다.

MicroSense^® KerrMapper

MicroSense^® KerrMapper

종방향 자기 광Kerr 효과 시스템

KerrMapper 설비 제품군은 종방향 자기 광 효과 (MOKE)를 사용하여 데이터 저장, MRAM 및 기타 자기 센서를 위한 자기 다층 웨이퍼의 자기 특성을 특성화합니다. KerrMapper S300 및 V300 시스템은 비접촉 전면 웨이퍼 측정 기술을 사용하여 전체 웨이퍼의 자기 특성 맵을 생성합니다. 두 시스템 모두 수동 로딩 또는 완전 자동화 구성으로 제공되어 연구개발 및/또는 생산에 사용됩니다. MicroSense 자기 계측 도구의 독점적인 직접 필드 제어 기술을 사용해서, KerrMapper 시스템은 높은 필드 기능과 낮은 필드 해상도를 제공하여 단일 시스템에서 자유 및 고정 레이층 특성을 특성화합니다.

OmniMap^® RS-200

OmniMap^® RS-200

표면 저항 측정 시스템

OmniMap^® RS-200 저항도 맵핑 시스템은 입증된 산업 저항도 맵핑 표준을 기반으로 45nm와 향후 노드에 대한 정확하고 신뢰도 높은 표면 저항 측정 값을 제공합니다. 해당 정확도 맵핑 시스템은 오늘날의 300mm 웨이퍼 생산 요구사항을 충족하기 위한 개선된 엣지 성능과 첨단 자동화 등의 역량을 제공합니다.

CIRCL™

CIRCL™

전체 표면 웨이퍼 결함 검사, 계측 및 리뷰 클러스터 시스템

CIRCL™ 클러스터 툴은 효율적인 공정 제어를 위한 높은 처리량 수준에서 병렬 데이터 수집을 제공하며 모든 웨이퍼 표면을 다루는 4개의 모듈을 보유합니다. 최신 세대 CIRCL5로 이뤄진 모듈은 다음 사항을 포함합니다: 전면 웨이퍼 결함 검사기; 웨이퍼 엣지 결함 검사 프로파일, 계측 및 리뷰; 후면 웨이퍼 결함 검사 및 리뷰; 전면 결함의 광학 리뷰 및 분류. 한개의 측정값에 대한 결과를 사용하여 클러스터 내 다른 유형의 측정값을 유도하는 혁신적인 접근법인 DirectedSampling™을 통해 데이터 수집을 제어합니다. CIRCL5 모듈 구성은 다양한 공정 제어 니즈에 대한 유연성을 제공하고 전체 Fab 공간을 절약하며 Fab의 자본 투자를 절감하는 비용 효율적인 업그레이드 경로를 제공합니다.

Profiler 포트폴리오

Profiler 포트폴리오

광학 및 스타일러스 Profilers

KLA는 반도체 IC, 전력 소자, LED, 포토닉스, MEMS, CPV Solar, HDD 및 디스플레이 제조를 위한 표면 계측 측정을 지원하는 다양한 스타일러스 및 광학 Profiler를 제공합니다. Profiler 사이트를 방문하시면 추가정보를 보실 수 있습니다.